Главная / Лучший смартфон / В 2018 году смартфоны будут иметь до 512 Гб ультрабыстрой памяти

В 2018 году смартфоны будут иметь до 512 Гб ультрабыстрой памяти

Facebooktwittergoogle_plusredditpinterestmail

Мы уже привыкли к быстроте своих смартфонов, но технология диктует, что они будут становиться еще быстрее, пока не достигнут своего предела. А это может произойти … лет через 100 или около того. Уже в следующем году память для смартфонов типа UFS сможет читать/записывать до 50 000/40 000 операций ввода-вывода в секунду. Для сравнения текущие решения памяти UFS совершают около 19000/14000 операций ввода-вывода в секунду.

Сначала UFS-хранилище, используемое Samsung в серии Galaxy S6, обеспечивало скорость чтения и записи, выходящую за рамки возможностей стандарта eMMC. Теперь компании под названием Silicon Motion Technology удалось улучшить технологию и объявить линейку контроллеров памяти UFS 2.1. В дополнение к вышеперечисленным огромным скоростям новые модули памяти смогут обладать емкостью до 512 Гб и иметь усовершенствованное энергопотребление. По сравнению с памятью eMMC 5.1, которая все еще распространена в нефлагманских устройствах, UFS 2.1 работает в три раза быстрее. Также ожидается, что в ближайшие пять лет технология полностью вытеснит стандарт eMMC.

Производство новых контроллеров UFS 2.1 начнется в этом году. В настоящее время ведется подбор «OEM-партнеров».

В 2018 году смартфоны будут иметь до 512 Гб ультрабыстрой памяти

Источник

Facebooktwittergoogle_plusredditpinterestmail
Регистрируясь либо нажимая кнопку «Комментировать», я принимаю пользовательское соглашение (Политику конфиденциальности) этого сайта и подтверждаю, что ознакомлен и согласен с политикой конфиденциальности.

Оставить комментарий

Войти с помощью: 

Ваш email нигде не будет показан

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: